Vishay IRFI N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 4 A 30 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 813-0708
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-36-635
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI620GPBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 2.262 | CHF 11.33 |
| 50 - 120 | CHF 1.919 | CHF 9.62 |
| 125 - 245 | CHF 1.818 | CHF 9.07 |
| 250 - 495 | CHF 1.697 | CHF 8.48 |
| 500 + | CHF 1.475 | CHF 7.35 |
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- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-36-635
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI620GPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IRFI | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -10, +10V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.8mm | |
| Höhe | 29.27mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IRFI | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -10, +10V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.8mm | ||
Höhe 29.27mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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