Vishay SiR418DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 23 A 39 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 814-1275
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR418DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.10.81
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 25. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.081 | CHF.10.85 |
| 100 - 240 | CHF.1.02 | CHF.10.22 |
| 250 - 490 | CHF.0.919 | CHF.9.22 |
| 500 - 990 | CHF.0.889 | CHF.8.87 |
| 1000 + | CHF.0.869 | CHF.8.67 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 814-1275
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR418DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SiR418DP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.71V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 39W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.26 mm | |
| Länge | 6.25mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SiR418DP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.71V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 39W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.26 mm | ||
Länge 6.25mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay SiR418DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 23 A 39 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 50 A 39 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 42.3 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 45.3 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiS862ADN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 52 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiS128LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 33.7 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSHA10DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212