Vishay SiHF530S N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 14 A 88 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
815-2613P
Herst. Teile-Nr.:
SIHF530STRR-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SiHF530S

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

88W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Durchlassspannung Vf

2.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.65mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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