Vishay SiHF634S N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 8.1 A 74 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
815-2632P
Herst. Teile-Nr.:
SIHF634S-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SiHF634S

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

450mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Durchlassspannung Vf

2V

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

9.65mm

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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