Nexperia NX3008PBK,215 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 230 mA 1,14 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 816-0579
- Herst. Teile-Nr.:
- NX3008PBK,215
- Marke:
- Nexperia
3600 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 150)
CHF.0.137
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 150 - 150 | CHF.0.137 | CHF.20.003 |
| 300 - 600 | CHF.0.116 | CHF.17.483 |
| 750 - 1350 | CHF.0.084 | CHF.12.443 |
| 1500 - 2850 | CHF.0.063 | CHF.10.08 |
| 3000 + | CHF.0.063 | CHF.9.45 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 816-0579
- Herst. Teile-Nr.:
- NX3008PBK,215
- Marke:
- Nexperia
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
P-Kanal-MOSFET, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 230 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6,5 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V |
| Verlustleistung max. | 1,14 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 1.4mm |
| Länge | 3mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,55 nC bei 4,5 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 1mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 816-0579
- Herst. Teile-Nr.:
- NX3008PBK,215
- Marke:
- Nexperia