Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 6.5 A 3.2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 818-1302
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4909DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.18.28
Auf Lager
- 4’940 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | CHF.0.914 | CHF.18.21 |
| 100 - 180 | CHF.0.777 | CHF.15.46 |
| 200 - 480 | CHF.0.651 | CHF.13.10 |
| 500 - 980 | CHF.0.609 | CHF.12.18 |
| 1000 + | CHF.0.588 | CHF.11.66 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 818-1302
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4909DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 34mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.55mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 34mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41.5nC | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.55mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 6.5 A 3.2 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Si9407BDY Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 4.7 A 5 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 12 V Erweiterung / 4.5 A 6.5 W, 6-Pin SC-70
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 20.5 A 5.7 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 6.5 A 3.7 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8 A 3.2 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8 A 3.2 W, 8-Pin SOIC