DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 8.6 A 880 mW, 8-Pin TSSOP
- RS Best.-Nr.:
- 822-2542P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2016UTS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 120 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.33.96
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 07. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 120 - 600 | CHF.0.283 |
| 620 + | CHF.0.263 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 822-2542P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2016UTS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.65V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 880mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Höhe | 1.025mm | |
| Länge | 4.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.65V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 880mW | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Höhe 1.025mm | ||
Länge 4.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN