DiodesZetex Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 260 mA 400 mW, 6-Pin SC-88
- RS Best.-Nr.:
- 822-2598P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN63D8LDW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (500 Stück, geliefert auf Rolle)*
CHF 30.50
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 12. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 500 - 900 | CHF 0.061 |
| 1000 - 1400 | CHF 0.04 |
| 1500 - 2900 | CHF 0.04 |
| 3000 + | CHF 0.04 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 822-2598P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN63D8LDW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 260mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 400mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.35mm | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| Länge | 2.2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 260mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 400mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.35mm | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
Länge 2.2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN