DiodesZetex Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 6.6 A 1.7 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 823-4018P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN6040SSD-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 823-4018P
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- DMN6040SSD-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 55mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.7W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Länge | 4.95mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Breite | 3.95mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 55mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.7W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Länge 4.95mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Breite 3.95mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||