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    Infineon OptiMOS P BSS308PEH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,6 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

    RS Best.-Nr.:
    823-5500P
    Herst. Teile-Nr.:
    BSS308PEH6327XTSA1
    Marke:
    Infineon
    Infineon

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    Rechtliche Anforderungen


    Produktdetails

    P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P


    Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.


    Enhancement-Modus
    Für Stoßentladung ausgelegt
    Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
    Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform
    Standardgehäuse
    P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C



    MOSFET-Transistoren, Infineon


    Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.


    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypP
    Dauer-Drainstrom max.1,6 A
    Drain-Source-Spannung max.30 V
    GehäusegrößeSOT-23
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.130 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.1V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.500 mW
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Transistor-WerkstoffSi
    Gate-Ladung typ. @ Vgs5 nC @ 10 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite1.3mm
    Länge2.9mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    SerieOptiMOS P
    Höhe1mm
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