Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR

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RS Best.-Nr.:
823-9240
Herst. Teile-Nr.:
CSD17381F4T
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PICOSTAR

Serie

FemtoFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

250mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

730mV

Gate-Source-spannung max Vgs

-12V, +12V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.04nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

640μm

Höhe

350μm

Länge

1.04mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET FemtoFET™, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


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