Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 825-9130P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ086P03NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- BSZ086P03NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.4mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.4mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Infineon OptiMOS P Serie MOSFET, 30 V Drain-Source-Spannung, 40 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ086P03NS3GATMA1
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in industriellen Temperaturumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Umgebungsbereich und ist für Hochstrom-Schaltfunktionen vorgesehen, bei denen eine kompakte, flache Verpackung erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• 30 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• 40 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht Hochstromschaltung
• Niedrige Rds(on) von 13.4 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 69 W sorgt für thermische Belastung
• 43,2 nC typische Gate-Ladung gleicht Schaltgeschwindigkeit und Antriebsbedarf aus
• Maximale Gate-Source-Spannung von 25 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Spannen
• 40 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht Hochstromschaltung
• Niedrige Rds(on) von 13.4 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 69 W sorgt für thermische Belastung
• 43,2 nC typische Gate-Ladung gleicht Schaltgeschwindigkeit und Antriebsbedarf aus
• Maximale Gate-Source-Spannung von 25 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Spannen
Anwendungsbereich
• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für die Steuerung von Gleichstrommotoren und Antriebsstufen
• Wird für die Lastschaltung in Telekommunikations- und Server-Stromversorgungssystemen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Verteilerschaltkreise verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungsmodule, die Low-Profile-Komponenten erfordern
• Ideal für die Steuerung von Gleichstrommotoren und Antriebsstufen
• Wird für die Lastschaltung in Telekommunikations- und Server-Stromversorgungssystemen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Verteilerschaltkreise verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungsmodule, die Low-Profile-Komponenten erfordern
Welche Gehäusetypen sollte ich für die Leiterplattenmontage erwarten?
Er wird in einem 8-poligen TSDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für automatisierte Pick-and-Place- und Reflow-Lötprozesse geeignet ist.
Wie verhält sich das Gerät während des Betriebs in weiten Temperaturbereichen?
Die Komponente ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter rauen industriellen Temperaturbedingungen mit entsprechendem Wärmemanagement.
Welche Kanalpolarität muss der Gate-Treiber aufnehmen?
Das Gerät ist P-Kanal, sodass eine Gate-Drive-Logik für den P-Typ-Verbesserungsbetrieb und eine geeignete Pull-up/Pull-down-Signalisierung vorgesehen sein muss.
Gibt es Vorteile bei der Montage oder dem Profil?
Die flache Gehäusehöhe von 1,1 mm unterstützt platzbeschränkte Layouts und ermöglicht eine dichte Montage in kompakten Leistungsdesigns.