Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 825-9134P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ086P03NS3EGATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (100 Stück, auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 45.50
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 23. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 180 | CHF 0.455 |
| 200 - 480 | CHF 0.424 |
| 500 - 980 | CHF 0.404 |
| 1000 + | CHF 0.374 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 825-9134P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ086P03NS3EGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -25, +25V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.4mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -25, +25V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.4mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Infineon OptiMOS P Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 40 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ086P03NS3EGATMA1
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Hochstromschaltungen in kompakten Baugruppen zur Oberflächenmontage entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle elektronische Umgebungen geeignet ist, und ist für hohe Ableitströme und Verlustleistung ausgelegt. Das Gehäuse ist ein flaches 8-poliges TSDSON für eine effiziente Leiterplattenmontage und thermische Leistung.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 40 A unterstützt das Schalten hoher Lasten
• Maximale Verlustleistung von 69 W ermöglicht eine höhere Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 43.2 nC gleicht die Schaltgeschwindigkeit und den Antriebsaufwand aus
• 25-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• 30-V-Drain‐Source-Nennleistung für Systeme mit mittlerer Spannung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 40 A unterstützt das Schalten hoher Lasten
• Maximale Verlustleistung von 69 W ermöglicht eine höhere Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 43.2 nC gleicht die Schaltgeschwindigkeit und den Antriebsaufwand aus
• 25-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• 30-V-Drain‐Source-Nennleistung für Systeme mit mittlerer Spannung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Point-of-Load-Leistungsumwandlungsmodule
• Ideal für synchrone Abwärtswandler
• Einsatz mit Batteriemanagement-Schaltkreisen in Stromversorgungssystemen
• Kann für die Steuerung von Motor-Treiber-Low-Side/Power-Path verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations- und Server-Stromversorgungsschienen
• Ideal für synchrone Abwärtswandler
• Einsatz mit Batteriemanagement-Schaltkreisen in Stromversorgungssystemen
• Kann für die Steuerung von Motor-Treiber-Low-Side/Power-Path verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations- und Server-Stromversorgungsschienen
Welchen thermischen Extremen kann er während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich für große Umgebungs- und Sperrschichtvariationen.
Wie viele Stifte und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Das Gerät verfügt über eine 8-polige Grundfläche und ist für die Oberflächenmontage in einem TSDSON-Gehäuse vorgesehen.
Welche elektrischen Eigenschaften begrenzen Leitungsverluste?
Der maximale Drain-Source-Widerstand des Geräts beträgt 13,4 mΩ, was den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand und den Wirkungsgrad bestimmt.
Welche Gate-Driving-Bedenken sind für das Schaltdesign relevant?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 43,2 nC und einer maximalen Gate-Source-Nennspannung von 25 V müssen Antriebsschaltkreise eine ausreichende Ladung liefern, während sie innerhalb der Spannungsgrenzen bleiben.