Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 167 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 825-9162P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD031N06L3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF 13.03
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 825-9162P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD031N06L3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 59nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.413mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 59nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.413mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V
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MOSFET-Transistoren, Infineon
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