Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 136 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 826-9204P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB600N25N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 20 - 40 | CHF 2.434 | - |
| 50 - 90 | CHF 2.333 | CHF 5.05 |
| 100 - 240 | CHF 2.232 | CHF 20.20 |
| 250 + | CHF 2.081 | CHF 88.25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 826-9204P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB600N25N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.45mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.31mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.45mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.31mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS 3 Serie MOSFET, 250 V Drain-Source-Spannung, 25 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPB600N25N3GATMA1
Merkmale und Vorteile:
• Der Einschaltwiderstand von 60 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• 25 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Dauerbetrieb bei hoher Belastung
• Die Verlustleistung von 136 W ermöglicht eine erhebliche Wärmemanagement in Schaltkreisen
• 22 nC Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie und Antriebsdesign
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungsbereiche
Anwendungsbereiche
• Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Wechselrichterbeine
• Wird für DC/DC-Wandler in Telekommunikations-Stromversorgungssystemen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Ladegerättopologie verwendet werden
• Eingesetzt in der universellen Stromversorgungsschaltung auf oberflächenmontierten Leiterplatten
