Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 136 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 20 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

CHF.48.68

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 540 Einheit(en) mit Versand ab 27. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
20 - 40CHF.2.434
50 - 90CHF.2.333
100 - 240CHF.2.232
250 +CHF.2.081

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
826-9204P
Herst. Teile-Nr.:
IPB600N25N3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.31mm

Höhe

4.57mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.