Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 170 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 826-9257P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP324H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- BSP324H6327XTSA1
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 25Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.54nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 800mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.5mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 25Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.54nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 800mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.5mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 400 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP324H6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Oberflächenmontage in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er dient als Schalt- oder Steuerelement in Schaltkreisen, die ein Enhancement-Modus-Gerät erfordern, das mit erheblichen Drain-Source-Spannungen und einer Qualifizierung auf Automotive-Ebene umgehen kann. Das Gerät ist in einem kompakten SOT-223-Gehäuse untergebracht, das sich für leiterplattenmontierte Anwendungen eignet, bei denen thermische und elektrische Leistung im Gleichgewicht stehen müssen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 400 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• Maximale Rds(on) von 25 Ω reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen
• 170 mA kontinuierlicher Ableitstrom unterstützt Aufgaben mit geringer Signalstromversorgung
• Maximale Verlustleistung von 1,8 W sorgt für mäßige thermische Belastungen
• Die typische Gate-Ladung von 4,54 nC ermöglicht schnellere Gate-Übergänge mit weniger Antriebsenergie
• Die Durchlassspannung von 0,8 V verbessert die Diodenabfall-Effizienz bei Schaltvorgängen
• Maximale Rds(on) von 25 Ω reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen
• 170 mA kontinuierlicher Ableitstrom unterstützt Aufgaben mit geringer Signalstromversorgung
• Maximale Verlustleistung von 1,8 W sorgt für mäßige thermische Belastungen
• Die typische Gate-Ladung von 4,54 nC ermöglicht schnellere Gate-Übergänge mit weniger Antriebsenergie
• Die Durchlassspannung von 0,8 V verbessert die Diodenabfall-Effizienz bei Schaltvorgängen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hilfsschaltkreise in der Automobilelektronik
• Ideal für die Hochspannungssteuerung in Stromversorgungs-Snubber-Netzwerken
• Wird mit Gate-Treibern für Schaltstufen mit geringem Stromverbrauch verwendet
• Kann für den Lastschutz in Sensormodulen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen in kompakten Leistungsdesigns
• Ideal für die Hochspannungssteuerung in Stromversorgungs-Snubber-Netzwerken
• Wird mit Gate-Treibern für Schaltstufen mit geringem Stromverbrauch verwendet
• Kann für den Lastschutz in Sensormodulen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen in kompakten Leistungsdesigns
In welchem Temperaturbereich kann er betrieben werden?
Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich von -55 °C bis 150 °C für den Einsatz in thermisch unterschiedlichen Anlagen.
Wie viele Stifte und welche Befestigungsart werden angeboten?
Das Gerät wird mit vier Stiften geliefert und ist für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten vorgesehen.
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen bei der Konstruktion eingehalten werden?
Der Gate-Antrieb muss innerhalb von ±20 V gehalten werden, um die maximale Gate-Source-Nennleistung nicht zu überschreiten.
Welche Verpackungsfläche und welche Außengröße sollten Entwickler erwarten?
Der Transistor wird in einem SOT-223-Gehäuse mit Gesamtabmessungen von 6,5 x 3,5 x 1,6 mm für die Leiterplatten-Layoutplanung geliefert.