DiodesZetex DMG2305UX Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.3 A 1.4 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 827-0452
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG2305UX-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | CHF.0.071 | CHF.7.37 |
| 500 - 900 | CHF.0.071 | CHF.6.97 |
| 1000 - 2400 | CHF.0.061 | CHF.5.56 |
| 2500 - 4900 | CHF.0.051 | CHF.5.25 |
| 5000 + | CHF.0.04 | CHF.3.64 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-0452
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG2305UX-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DMG2305UX | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.2nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.4W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DMG2305UX | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.2nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.4W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
P-Kanal-MOSFET, 12 V bis 25 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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