Kürzlich gesucht

    Infineon HEXFET IRFR9024NTRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    RS Best.-Nr.:
    827-4088P
    Herst. Teile-Nr.:
    IRFR9024NTRPBF
    Marke:
    Infineon
    Infineon

    Abbildung stellvertretend für Produktreihe

    Alle MOSFET anzeigen
    16220 Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
    Add to Basket
    Stück

    Im Warenkorb

    Preis pro Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt

    CHF.0.948

    StückPro Stück
    100 - 480CHF.0.948
    500 - 980CHF.0.843
    1000 - 1980CHF.0.667
    2000 +CHF.0.632
    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    827-4088P
    Herst. Teile-Nr.:
    IRFR9024NTRPBF
    Marke:
    Infineon

    Rechtliche Anforderungen


    Produktdetails

    P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon


    Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.



    MOSFET-Transistoren, Infineon


    Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.


    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypP
    Dauer-Drainstrom max.11 A
    Drain-Source-Spannung max.55 V
    GehäusegrößeDPAK (TO-252)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.175 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.38 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Gate-Ladung typ. @ Vgs19 nC @ 10 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Breite6.22mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Länge6.73mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Höhe2.39mm
    SerieHEXFET
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    16220 Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
    Add to Basket
    Stück

    Im Warenkorb

    Preis pro Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt

    CHF.0.948

    StückPro Stück
    100 - 480CHF.0.948
    500 - 980CHF.0.843
    1000 - 1980CHF.0.667
    2000 +CHF.0.632
    Verpackungsoptionen: