Texas Instruments NexFET CSD19536KCS N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 259 A 375 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 827-4919
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19536KCS
- Marke:
- Texas Instruments
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 259 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Serie | NexFET |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,2 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V |
| Verlustleistung max. | 375 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Länge | 10.67mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Breite | 4.7mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 16.51mm |
- RS Best.-Nr.:
- 827-4919
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19536KCS
- Marke:
- Texas Instruments