- RS Best.-Nr.:
- 827-4943
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD87350Q5D
- Marke:
- Texas Instruments
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 827-4943
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD87350Q5D
- Marke:
- Texas Instruments
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Leistungs-MOSFET-Module, Texas Instruments
Halbbrücken-NexFET-Power Block
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 120 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SON |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 1,2 mΩ, 5 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.1V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 12 W |
Transistor-Konfiguration | Serie |
Gate-Source Spannung max. | +8 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 6.1mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20 nC @ 4,5 V, 8,4 nC @ 4,5 V |
Breite | 5.1mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Höhe | 1.5mm |
Serie | NexFET |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 827-4943
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD87350Q5D
- Marke:
- Texas Instruments