Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 50 W, 8-Pin TSDSON

RS Best.-Nr.:: 827-5249P
Herst. Teile-Nr.:: BSZ050N03LSGATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 50 W, 8-Pin TSDSON

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Herst. Teile-Nr.:: BSZ050N03LSGATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	40A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	TSDSON
	Serie	OptiMOS 3
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	7.8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	26nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	50W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.1mm
	Länge	3.4mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße TSDSON
	Serie OptiMOS 3
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 50W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.1mm
	Länge 3.4mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

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