Toshiba TK TK12E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 827-6113P
Herst. Teile-Nr.:: TK12E60W,S1VX(S
Marke:: Toshiba

Toshiba TK TK12E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

25 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.

Preis pro Stück (in Beutel)

CHF.1.754

Stück	Pro Stück
25 - 45	CHF.1.754
50 - 120	CHF.1.596
125 - 245	CHF.1.47
250 +	CHF.1.313

RS Best.-Nr.:: 827-6113P
Herst. Teile-Nr.:: TK12E60W,S1VX(S
Marke:: Toshiba

TK12E60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

RS Best.-Nr.:: 827-6113P
Herst. Teile-Nr.:: TK12E60W,S1VX(S
Marke:: Toshiba

TK12E60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11,5 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	TK
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	300 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	10.16mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.45mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	15.1mm

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11,5 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	TK
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	300 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	10.16mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.45mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	15.1mm