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Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Toshiba TK TK20N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
RS Best.-Nr.:
827-6167P
Herst. Teile-Nr.:
TK20N60W,S1VF(S
Marke:
Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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16 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
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CHF.3.843
40 - 72
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74 - 148
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150 +
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Verpackungsoptionen:
Standardverpackung
Produktionsverpackung
RS Best.-Nr.:
827-6167P
Herst. Teile-Nr.:
TK20N60W,S1VF(S
Marke:
Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
TK20N60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland:
CN
MOSFET N-Kanal, Serie TK2x, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
20 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Serie
TK
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Drain-Source-Widerstand max.
155 mΩ
Channel-Modus
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.
3.7V
Verlustleistung max.
165 W
Transistor-Konfiguration
Einfach
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Transistor-Werkstoff
Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs
48 nC @ 10 V
Länge
15.94mm
Breite
5.02mm
Höhe
20.95mm
RS Best.-Nr.:
827-6167P
Herst. Teile-Nr.:
TK20N60W,S1VF(S
Marke:
Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
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Produktdetails
Technische Daten
TK20N60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland:
CN
MOSFET N-Kanal, Serie TK2x, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
20 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Serie
TK
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Drain-Source-Widerstand max.
155 mΩ
Channel-Modus
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.
3.7V
Verlustleistung max.
165 W
Transistor-Konfiguration
Einfach
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Transistor-Werkstoff
Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs
48 nC @ 10 V
Länge
15.94mm
Breite
5.02mm
Höhe
20.95mm