Toshiba TK TK46A08N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS

RS Best.-Nr.:: 827-6233P
Herst. Teile-Nr.:: TK46A08N1,S4X(S
Marke:: Toshiba

Toshiba TK TK46A08N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Nicht mehr im Sortiment

RS Best.-Nr.:: 827-6233P
Herst. Teile-Nr.:: TK46A08N1,S4X(S
Marke:: Toshiba

TK46A08N1, MOSFET Silicon N-channel MOS (U-MOS VIII-H)
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	46 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Gehäusegröße	TO-220SIS
Serie	TK
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	35 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	37 nC @ 10 V
Länge	10mm
Höhe	15mm