STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 14 A 190 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 829-1490
- Herst. Teile-Nr.:
- STW15N80K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.9.094
Auf Lager
- Zusätzlich 34 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.4.547 | CHF.9.09 |
| 10 - 18 | CHF.4.326 | CHF.8.65 |
| 20 - 48 | CHF.3.885 | CHF.7.76 |
| 50 - 98 | CHF.3.507 | CHF.7.00 |
| 100 + | CHF.3.339 | CHF.6.67 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 829-1490
- Herst. Teile-Nr.:
- STW15N80K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 375mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 375mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ K5-Serie, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 14 A 190 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 10.5 A 190 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 10.5 A 190 W, 3-Pin STW12NK80Z TO-247
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 14 A 190 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 14 A 190 W, 3-Pin STP15N80K5 TO-220
- Vishay IRFP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 7.8 A 190 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-247
- Vishay IRFP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 7.8 A 190 W, 3-Pin IRFPE50PBF TO-247