Microchip LND150N3-G N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 30 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation

Der Microchip LND150 N-Kanal-Abarmungsmodus-Transistor (normalerweise eingeschaltet) nutzt die seitliche DMOS-Technologie. Das Tor ist ESD-geschützt. Er ist ideal für Hochspannungsanwendungen in den Bereichen Schließer, Präzisions-Konstantstromquellen, Spannungsrampenerzeugung und -verstärkung. Er verfügt über eine Drain-to-Source- und Drain-to-Gate-Spannung von 500 V und einen statischen Drain-to-Source-on-State-Widerstand von 1 kΩ.

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und niedriger CISS
Frei von Blei (Pb)
3-adriges TO-92-Gehäuse

MOSFET-Transistoren, Microchip