Microchip DN2530N3-G N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

RS Best.-Nr.:: 829-3320
Herst. Teile-Nr.:: DN2530N3-G
Marke:: Microchip

Microchip DN2530N3-G N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

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Herst. Teile-Nr.:: DN2530N3-G
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MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation

Der N-Kanal-Absenkmodus-Transistor Microchip DN2530 (normalerweise eingeschaltet) nutzt eine Advanced vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind. Er verfügt über eine Drain-to-Source- und Drain-to-Gate-Spannung von 300 V und einen statischen Drain-to-Source-on-State-Widerstand von 25 Ω.

MOSFET-Transistoren, Microchip

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	175 mA
Drain-Source-Spannung max.	300 V
Gehäusegröße	TO-92
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	12 Ω
Channel-Modus	Depletion
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Verlustleistung max.	740 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	5.2mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.19mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	5.33mm

RS Best.-Nr.:: 829-3320
Herst. Teile-Nr.:: DN2530N3-G
Marke:: Microchip