Microchip DN2535N3-G N-Kanal, THT MOSFET 350 V / 120 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 829-3332P
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2535N3-G
- Marke:
- Microchip
1240 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (in Beutel)
CHF.0.84
| Stück | Pro Stück |
| 30 - 90 | CHF.0.84 |
| 100 + | CHF.0.767 |
- RS Best.-Nr.:
- 829-3332P
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2535N3-G
- Marke:
- Microchip
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus
Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.
Merkmale
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Typische Anwendungen:
Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
Der Microchip DN2535 N-Kanal-Absenkmodus-Transistor (normalerweise eingeschaltet) nutzt eine Advanced vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind. Er verfügt über eine Drain-to-Source- und Drain-to-Gate-Spannung von 350 V und einen statischen Drain-to-Source-on-State-Widerstand von 25 Ω.
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Frei von Blei (Pb)
3-adriges TO-92-Gehäuse
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Frei von Blei (Pb)
3-adriges TO-92-Gehäuse
MOSFET-Transistoren, Microchip
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 350 V |
| Gehäusegröße | TO-92 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 25 Ω |
| Channel-Modus | Depletion |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Verlustleistung max. | 1 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 5.2mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4.19mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 5.33mm |
- RS Best.-Nr.:
- 829-3332P
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2535N3-G
- Marke:
- Microchip
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus
Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.
Merkmale
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Typische Anwendungen:
Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
Der Microchip DN2535 N-Kanal-Absenkmodus-Transistor (normalerweise eingeschaltet) nutzt eine Advanced vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind. Er verfügt über eine Drain-to-Source- und Drain-to-Gate-Spannung von 350 V und einen statischen Drain-to-Source-on-State-Widerstand von 25 Ω.
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Frei von Blei (Pb)
3-adriges TO-92-Gehäuse
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Frei von Blei (Pb)
3-adriges TO-92-Gehäuse
MOSFET-Transistoren, Microchip
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 350 V |
| Gehäusegröße | TO-92 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 25 Ω |
| Channel-Modus | Depletion |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Verlustleistung max. | 1 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 5.2mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4.19mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 5.33mm |