Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 5.2 A 2.1 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 830-3304P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLL2705TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 830-3304P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLL2705TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -16V, +16V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 1.739mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -16V, +16V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 1.739mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 5,2A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,1W maximale Verlustleistung - IRLL2705TRPBF
Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen konzipiert. Mit seiner N-Kanal-Konfiguration bietet er hervorragende Schalteigenschaften und eignet sich daher für Aufgaben, die eine schnelle Reaktion und einen minimalen Energieverlust erfordern. Dieses Bauteil erhöht die Effizienz und Zuverlässigkeit elektronischer Schaltungen, insbesondere in Automatisierungs- und Kontrollsystemen.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 5,2A
• Drain-Source-Spannung von 55 V
• Niedriger Rds(on) von 65mΩ für effizienten Betrieb
• Kompaktes SOT-223-Gehäuse für platzsparende Designs
Anwendungsbereich
• Ideal für Stromversorgungsschaltungen
• Einsatz in Energiemanagementsystemen für Kraftfahrzeuge
• Häufig verwendet zum Schalten in Hochfrequenzschaltungen
• Lässt sich gut in Wechselrichter für erneuerbare Energiesysteme integrieren
Wie hoch ist die maximale Spannung, die dieses Bauteil verarbeiten kann?
Das Produkt unterstützt eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V, was eine robuste Leistung in verschiedenen Anwendungen ermöglicht.
Kann es bei hohen Temperaturen arbeiten?
Ja, er ist für eine maximale Betriebstemperatur von +150 °C ausgelegt, was die Zuverlässigkeit in schwierigen Umgebungen gewährleistet.
Wie bewältigt dieses Bauteil die Wärme während des Betriebs?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 2,1 W sorgt er für ein effektives Wärmemanagement und reduziert das Risiko einer Überhitzung.
Ist sie mit Standard-PCB-Designs kompatibel?
Dieses Bauteil ist für die Oberflächenmontage geeignet und lässt sich leicht in Standard-Leiterplattenlayouts integrieren.
Was macht sie zu einer geeigneten Wahl für Automatisierungsprojekte?
Sein schnelles Schaltvermögen und sein geringer Einschaltwiderstand tragen zu erheblichen Energieeinsparungen bei und erhöhen die Effizienz automatisierter Systeme.