Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.5 A 2 W, 6-Pin Micro6
- RS Best.-Nr.:
- 830-3326P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLMS2002TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 150 - 270 | CHF 0.343 |
| 300 - 720 | CHF 0.303 |
| 750 - 1470 | CHF 0.273 |
| 1500 + | CHF 0.263 |
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- RS Best.-Nr.:
- 830-3326P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLMS2002TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | Micro6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -12V, +12V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1.3mm | |
| Breite | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße Micro6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -12V, +12V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1.3mm | ||
Breite 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- TH
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 6,5A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2W maximale Verlustleistung - IRLMS2002TRPBF
Dieser N-Kanal-MOSFET wurde für eine effektive Leistung in Batteriemanagement- und Lastmanagementanwendungen entwickelt. Seine Fähigkeit, einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine hohe Temperaturbeständigkeit zu bieten, trägt zum effizienten Betrieb verschiedener elektronischer Systeme bei. Dank modernster Verarbeitungstechniken ist dieses Produkt ideal für Fachleute aus den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik.
Eigenschaften und Vorteile
• Oberflächenmontiertes Design minimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte
• Niedriger Einschaltwiderstand verbessert die Energieeffizienz
• Kontinuierliche Stromaufnahmefähigkeit von bis zu 6,5 A
• Unterstützt ±12V Gate-to-Source-Spannung für flexible Steuerung
• Effiziente thermische Leistung reduziert die Wärmeentwicklung
Anwendungsbereich
• Batteriemanagement für optimale Energieverteilung
• Lastmanagement in verschiedenen elektronischen Geräten
• Automobilindustrie die eine robuste Leistungsaufnahme erfordern
• Hocheffiziente Stromversorgungssysteme
• Erneuerbare Energiesysteme zur Energieregulierung
Wie hoch ist der maximale kontinuierliche Ableitstrom bei erhöhten Temperaturen?
Bei einer Temperatur von 70°C kann ein kontinuierlicher Drain-Strom von 5,2A erreicht werden, wobei die Stabilität unter bestimmten Bedingungen erhalten bleibt.
Wie hoch ist der Wärmewiderstand für eine effektive Leistung?
Der maximale Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung beträgt 62,5°C/W, was eine effektive Wärmeabfuhr während des Betriebs gewährleistet.
Wie kann ich bei der Installation eine optimale Leistung sicherstellen?
Ein angemessenes Wärmemanagement und eine sorgfältige Berücksichtigung des PCB-Layouts sind für eine optimale Leistung unerlässlich und ermöglichen eine effiziente Wärmeableitung und Zuverlässigkeit.
Welche Spannung kann angelegt werden, ohne dass ein Durchschlag droht?
Die maximale Drain-Source-Spannung beträgt 20 V, die als kritischer Schwellenwert dient, um unnötige Durchbrüche während des Betriebs zu verhindern.
Gibt es einen bestimmten thermischen Derating-Faktor zu berücksichtigen?
Ja, der lineare Derating-Faktor beträgt 0,016 W/°C, was bedeutet, dass die Verlustleistung an die Umgebungstemperatur angepasst werden muss, um die Zuverlässigkeit zu gewährleisten.