Infineon N-Kanal, SMD MOSFET-Tetrode 8 V / 25 mA 200 mW, 6-Pin SOT-363 (SC-88)

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RS Best.-Nr.:
857-8475
Herst. Teile-Nr.:
BG3130RH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

25 mA

Drain-Source-Spannung max.

8 V

Gehäusegröße

SOT-363 (SC-88)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.6V

Verlustleistung max.

200 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

+6 V

Breite

1.25mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

2mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.8mm

Leistungsverstärkung

31 dB

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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