Teile-Nr.

Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 857-8674
Herst. Teile-Nr.:: IPB180P04P403ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

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Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
1000 - 1000	CHF.1.626	CHF.1'623.07
2000 - 4000	CHF.1.586	CHF.1'581.66
5000 +	CHF.1.545	CHF.1'542.27

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 857-8674
Herst. Teile-Nr.:: IPB180P04P403ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Channel-Typ	P
	Dauer-Drainstrom max.	180 A
	Drain-Source-Spannung max.	40 V
	Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
	Serie	OptiMOS P
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand max.	2,8 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	4V
	Gate-Schwellenspannung min.	2V
	Verlustleistung max.	150 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Breite	9.25mm
	Länge	10mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Transistor-Werkstoff	Si
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	190 nC @ 10 V
	Höhe	4.4mm
	Betriebstemperatur min.	-55 °C

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Channel-Typ P
	Dauer-Drainstrom max. 180 A
	Drain-Source-Spannung max. 40 V
	Gehäusegröße D2PAK (TO-263)
	Serie OptiMOS P
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand max. 2,8 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 4V
	Gate-Schwellenspannung min. 2V
	Verlustleistung max. 150 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Breite 9.25mm
	Länge 10mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Transistor-Werkstoff Si
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 190 nC @ 10 V
	Höhe 4.4mm
	Betriebstemperatur min. -55 °C

RoHS Status: Nicht zutreffend

Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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