Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
857-8674
Herst. Teile-Nr.:
IPB180P04P403ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

180 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Serie

OptiMOS P

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

2,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

150 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

9.25mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

190 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10mm

Höhe

4.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Nicht zutreffend

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