Microchip N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 240 V / 190 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 861-0670
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2410L-G
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (10 Stück, in einer Packung mit 10)*
CHF 10.50
Auf Lager
- Zusätzlich 120 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
- Zusätzlich 420 Einheit(en) mit Versand ab 12. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | CHF 1.05 | CHF 10.56 |
| 30 - 90 | CHF 1.00 | CHF 10.02 |
| 100 + | CHF 0.919 | CHF 9.16 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 861-0670
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2410L-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 240V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.19mm | |
| Länge | 5.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 240V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.19mm | ||
Länge 5.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.33mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Anreicherungsmodus
Die DMOS-FET-Transistoren der Supertex mit N-Kanal-Anreicherungsmodus (Einschalter) von Microchip sind für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen geeignet, die eine niedrige Schwellenspannung, eine hohe Durchschlagsspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und hohe Schaltgeschwindigkeiten erfordern.
MOSFET-Transistoren, Microchip
Verwandte Links
- Microchip Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 240 V / 190 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- Microchip TN0702 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 20 V, 3-Pin TO-92
- Microchip VN0104 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V, 3-Pin TO-92
- Microchip TN0604 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V, 3-Pin TO-92
- Microchip VN3205 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 50 V, 3-Pin TO-92
- Microchip VN2406 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 240 V / 1 A 1 W, 3-Pin TO-92
- Microchip Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung / 3 A 1 W, 3-Pin TO-92
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 240 V / 160 mA 700 mW, 3-Pin TO-92