MagnaChip N-Kanal, THT MOSFET 660 V / 11 A 49 W, 3-Pin TO-220F

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RS Best.-Nr.:
871-4915
Herst. Teile-Nr.:
MDF11N60BTH
Marke:
MagnaChip
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Marke

MagnaChip

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

660 V

Gehäusegröße

TO-220F

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

550 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Verlustleistung max.

49 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.71mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

38,4 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.93mm

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

16.13mm

Hochspannungs-MOSFET (HV)


Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET (HV) MOSFET, mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltleistung.


MOSFET-Transistoren, MagnaChip