MagnaChip MDF11N60BTH N-Kanal, THT MOSFET 660 V / 11 A 49 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 871-4915
- Herst. Teile-Nr.:
- MDF11N60BTH
- Marke:
- MagnaChip
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Hochspannungs-MOSFET (HV)
Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET (HV) MOSFET, mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltleistung.
MOSFET-Transistoren, MagnaChip
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 11 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 660 V |
| Gehäusegröße | TO-220F |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 550 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Verlustleistung max. | 49 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 38,4 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4.93mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 10.71mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.4V |
| Höhe | 16.13mm |
- RS Best.-Nr.:
- 871-4915
- Herst. Teile-Nr.:
- MDF11N60BTH
- Marke:
- MagnaChip