MagnaChip MDP1921TH N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 153 A 223 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
871-4965
Herst. Teile-Nr.:
MDP1921TH
Marke:
MagnaChip
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Marke

MagnaChip

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

153 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Verlustleistung max.

223 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

4.83mm

Länge

10.67mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

100 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

16.51mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
KR

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MOSFET-Transistoren, MagnaChip