MagnaChip MDU1516URH N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 47 A 35,7 W, 8-Pin PowerDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 871-5012P
- Herst. Teile-Nr.:
- MDU1516URH
- Marke:
- MagnaChip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 871-5012P
- Herst. Teile-Nr.:
- MDU1516URH
- Marke:
- MagnaChip
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | MagnaChip | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 47 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | PowerDFN56 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 14 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.7V | |
| Verlustleistung max. | 35,7 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6.1mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14,6 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke MagnaChip | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 47 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße PowerDFN56 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 14 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.7V | ||
Verlustleistung max. 35,7 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6.1mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14,6 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.1V | ||
Höhe 1.1mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Niederspannungs-MOSFET (LV)
Diese Niederspannungs-MOSFETs (LV) bieten niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltleistung.
MOSFET-Transistoren, MagnaChip