MagnaChip N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,7 A 27,1 W, 3-Pin TO-220F

RS Best.-Nr.:: 871-5040
Herst. Teile-Nr.:: MMF60R750PTH
Marke:: MagnaChip

MagnaChip N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,7 A 27,1 W, 3-Pin TO-220F

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RS Best.-Nr.:: 871-5040
Herst. Teile-Nr.:: MMF60R750PTH
Marke:: MagnaChip

MMF60R750P 600V 0.75Ohm N-channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	5,7 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220F
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	750 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	27,1 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14 nC @ 10 V
Länge	10.71mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.93mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	1.4V
Höhe	16.13mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

MagnaChip N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,7 A 27,1 W, 3-Pin TO-220F

Super Junction-MOSFET (SJ)