MagnaChip MMF65R190PTH N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 34 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 871-5044
- Herst. Teile-Nr.:
- MMF65R190PTH
- Marke:
- MagnaChip
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 871-5044
- Herst. Teile-Nr.:
- MMF65R190PTH
- Marke:
- MagnaChip
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Super Junction-MOSFET (SJ)
Diese MOSFETs verwenden die Super Junction-Technologie von MagnaChip, um Widerstand und Gate-Ladung gering zu halten. Sie sind sehr wirksam durch den Einsatz optimierter Ladungskopplungstechnologie.
Geringe elektromagnetische Störungen
Geringer Leistungsverlust durch Hochgeschwindigkeitsschaltung und geringen Widerstand
Geringer Leistungsverlust durch Hochgeschwindigkeitsschaltung und geringen Widerstand
MOSFET-Transistoren, MagnaChip
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 20 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | TO-220F |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 190 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Verlustleistung max. | 34 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Länge | 10.71mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Breite | 4.93mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.4V |
| Höhe | 16.13mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 871-5044
- Herst. Teile-Nr.:
- MMF65R190PTH
- Marke:
- MagnaChip