STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 100 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 876-5689P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL60P4LLF6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
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| 100 - 240 | CHF.0.872 |
| 250 - 490 | CHF.0.788 |
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- RS Best.-Nr.:
- 876-5689P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL60P4LLF6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Serie | STripFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 19mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.35mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Breite | 5.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Serie STripFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 19mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.35mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Breite 5.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.