STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3 A 2.6 W, 4-Pin SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:
STN3P6F6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

STripFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.6W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.8mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.7mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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