DiodesZetex Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 280 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 885-5362P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002VC-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (250 Stück, geliefert auf Rolle)*
CHF 70.75
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 15. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 250 - 450 | CHF 0.283 |
| 500 - 1200 | CHF 0.263 |
| 1250 - 2450 | CHF 0.242 |
| 2500 + | CHF 0.222 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 885-5362P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002VC-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 280mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -40V, +40V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Breite | 1.25mm | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 S, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020, RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 280mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -40V, +40V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Breite 1.25mm | ||
Höhe 0.6mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 S, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020, RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||