Toshiba TK TK12J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-3PN

RS Best.-Nr.:: 891-2881
Herst. Teile-Nr.:: TK12J60W,S1VQ(O
Marke:: Toshiba

Toshiba TK TK12J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-3PN

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Preis pro Stück

CHF.2.793

Stück	Pro Stück
1 - 4	CHF.2.793
5 - 9	CHF.2.636
10 - 24	CHF.2.489
25 - 49	CHF.2.363
50 +	CHF.2.247

RS Best.-Nr.:: 891-2881
Herst. Teile-Nr.:: TK12J60W,S1VQ(O
Marke:: Toshiba

TK12J60W, Silicon N-Channel DTMOS MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

RS Best.-Nr.:: 891-2881
Herst. Teile-Nr.:: TK12J60W,S1VQ(O
Marke:: Toshiba

TK12J60W, Silicon N-Channel DTMOS MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11,5 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-3PN
Serie	TK
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	300 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 10 V
Länge	15.5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	1.7V
Höhe	20mm

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11,5 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-3PN
Serie	TK
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	300 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 10 V
Länge	15.5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	1.7V
Höhe	20mm