Infineon Isoliert OptiMOS P Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2 A 500 mW, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 892-2172P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL308PEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 892-2172P
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- BSL308PEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 130mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | -5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Serie OptiMOS P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS P Serie MOSFET, 30 V Drain-Source-Spannung, 2 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSL308PEH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungstransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen in der Automobil- und Industrieelektronik vorgesehen ist. Er bietet Schaltgerätefunktionalität für Hochtemperaturumgebungen und wird in einem kompakten TSOP-6-Pin-Gehäuse mit zwei Elementen auf einem einzigen Chip geliefert, das für Schaltkreise mit begrenztem Platzangebot geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand von 130 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Ausgelegt für eine Ablass-Quellenspannung von 30 V, was den Einsatz eines 30-V-Systems ermöglicht
• Die kontinuierliche Ablassstromkapazität von 2 A unterstützt moderate Lasten
• Typische Gate-Ladung -5 nC bei Vgs für schnelleres Schaltverhalten
• Die Verlustleistung von 500 mW ermöglicht eine zuverlässige Wärmebehandlung
• Qualifiziert nach AEC-Q101 für Belastungsleistung im Automobilbereich
• Ausgelegt für eine Ablass-Quellenspannung von 30 V, was den Einsatz eines 30-V-Systems ermöglicht
• Die kontinuierliche Ablassstromkapazität von 2 A unterstützt moderate Lasten
• Typische Gate-Ladung -5 nC bei Vgs für schnelleres Schaltverhalten
• Die Verlustleistung von 500 mW ermöglicht eine zuverlässige Wärmebehandlung
• Qualifiziert nach AEC-Q101 für Belastungsleistung im Automobilbereich
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochtemperatur-Kfz-Leistungsschalter
• Ideal für Lastschaltvorgänge in Batteriemanagementsystemen
• Verwendung mit DC/DC-Wandlern, die P-Kanal-Geräte erfordern
• Kann für Zweikanal-Polaritätsschutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromverteiler
• Ideal für Lastschaltvorgänge in Batteriemanagementsystemen
• Verwendung mit DC/DC-Wandlern, die P-Kanal-Geräte erfordern
• Kann für Zweikanal-Polaritätsschutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromverteiler
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollte ich für einen sicheren Betrieb beachten?
Die Gate-to-Source-Spannung darf 20 V in beiden Polaritäten nicht überschreiten, um eine Belastung des Geräts zu vermeiden.
Wie viele Transistoren sind auf dem Chip enthalten, und was ermöglicht dies?
Es gibt zwei P-Kanal-Elemente pro Chip, was gepaarte Schaltvorgänge oder vereinfachte Zweikanal-Layouts ermöglicht.
Welchem Umgebungstemperaturbereich kann das Gerät während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C für Anwendungen mit erhöhten Sperrschichttemperaturen ausgelegt.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Platzierung und Routing der Platine aus?
Das 6-polige TSOP-Oberflächengehäuse minimiert die Grundfläche der Leiterplatte und vereinfacht die thermische und Signalführung für kompakte Designs.