Toshiba TK TK49N65W,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 49 A 400 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 896-2397
- Herst. Teile-Nr.:
- TK49N65W,S1F(S
- Marke:
- Toshiba
17 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück
CHF.11.067
| Stück | Pro Stück |
| 1 - 9 | CHF.11.067 |
| 10 - 49 | CHF.9.093 |
| 50 - 99 | CHF.8.306 |
| 100 - 199 | CHF.7.739 |
| 200 + | CHF.7.193 |
- RS Best.-Nr.:
- 896-2397
- Herst. Teile-Nr.:
- TK49N65W,S1F(S
- Marke:
- Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 49 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Serie | TK |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 55 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Verlustleistung max. | 400 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Länge | 15.94mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 5.02mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 20.95mm |
- RS Best.-Nr.:
- 896-2397
- Herst. Teile-Nr.:
- TK49N65W,S1F(S
- Marke:
- Toshiba