Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 83 A 214 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 897-7412P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP111N15N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 36 | CHF 4.151 |
| 40 - 96 | CHF 3.979 |
| 100 - 196 | CHF 3.808 |
| 200 + | CHF 3.545 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 897-7412P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP111N15N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 83A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 4.57mm | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 83A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 4.57mm | ||
Höhe 15.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 83 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 214 W maximale Verlustleistung - IPP111N15N3GXKSA1
Dieser MOSFET eignet sich für hocheffiziente Schaltanwendungen, die die Systemeffizienz und -leistung in verschiedenen Branchen wie der Automatisierungs- und Elektronikindustrie erheblich steigern. Seine Eigenschaften, einschließlich eines hohen kontinuierlichen Drainstroms und eines breiten Betriebstemperaturbereichs, machen ihn anpassungsfähig für verschiedene Umgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• N-Kanal-Design für effektive Schalteigenschaften
• Geringer Einschaltwiderstand, der die Verlustleistung reduziert
• Hohe Verlustleistung für konstanten Betrieb
• Verarbeitet effektiv sowohl gepulste als auch kontinuierliche Ströme
• Durchgangslochmontage für einfache Installation
Anwendungsbereich
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Anwendbar bei Hochfrequenzschaltungen für verbesserte Effizienz
• Geeignet für Automobil- und Industrieautomationssysteme
• Verwendung in Energieumwandlungssystemen wie Umrichtern und Wechselrichtern
• Eingesetzt im Energiemanagement für erneuerbare Energietechnologien
Kann dies in industriellen Automatisierungssystemen verwendet werden?
Ja, es ist aufgrund seiner Effizienz und zuverlässigen Leistung für automatisierte Systeme geeignet.
Welche Vorteile bietet die Verwendung dieses Bauteils in Stromversorgungen?
Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand und einen hohen Drain-Strom aus, was die Leistungsverluste minimiert und das Wärmemanagement in Stromversorgungsdesigns verbessert.
Wie verhält sich dies bei extremen Temperaturen?
Dieses Bauteil arbeitet zuverlässig in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für raue Bedingungen geeignet.
Ist es mit den bestehenden Entwürfen in meiner Anwendung kompatibel?
Ja, der TO-220-Gehäusetyp und die Durchsteckmontage sind mit vielen gängigen Schaltungsdesigns kompatibel.
Was muss ich für eine ordnungsgemäße Installation beachten?
Achten Sie auf ein angemessenes Wärmemanagement und ausreichend Platz für die Wärmeableitung, um eine optimale Leistung während des Betriebs zu gewährleisten.