Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 550 V / 17 A 139 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 897-7453P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R199CPXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
| 20 - 36 | CHF 3.07 |
| 40 - 96 | CHF 2.767 |
| 100 - 196 | CHF 2.485 |
| 200 + | CHF 2.363 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 897-7453P
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- IPA50R199CPXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 550V | |
| Serie | CoolMOS CP | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 199mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Länge | 10.65mm | |
| Breite | 4.85mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 550V | ||
Serie CoolMOS CP | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 199mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 16.15mm | ||
Länge 10.65mm | ||
Breite 4.85mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOS MOSFET der CP-Serie, 17 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 139 W maximale Verlustleistung - IPA50R199CPXKSA1
Dieser MOSFET ist ein hochleistungsfähiges Bauteil, das sich für verschiedene Anwendungen in den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik eignet. Sie trägt der Notwendigkeit einer effizienten Energieverwaltung und -steuerung Rechnung und verbessert so die Gesamtleistung des Systems. Mit Eigenschaften wie einer hohen kontinuierlichen Drain-Stromkapazität und einer hohen Spannungsfestigkeit ist er eine wichtige Wahl für fortschrittliche elektronische Designs.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximaler Dauerableitungsstrom von 17 A für eine robuste Leistungsabgabe
• Maximale Drain-Source-Spannung von 550 V für verschiedene Anwendungen
• Niedriger Rds(on) bei 199mΩ für verbesserte Effizienz
• Enhancement-Mode-Design für verbesserte Schalteigenschaften
• TO-220 FP-Gehäuse für einfache Installation
• Hohe Verlustleistung von 139 W, geeignet für anspruchsvolle Umgebungen
Anwendungsbereich
• Hochleistungswandler zur Verbesserung der Energieeffizienz
• Motorsteuerung die hohen Strom benötigen
• Industrielle Automatisierungssysteme für mehr Zuverlässigkeit
• Schaltnetzteile, die effiziente Komponenten benötigen
Was sind die thermischen Grenzen für die Nutzung?
Das Produkt kann zwischen -55°C und +150°C betrieben werden und ist somit vielseitig für verschiedene Umgebungen einsetzbar.
Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Leistung aus?
Die Gate-Schwellenspannung variiert von 2,5V bis 3,5V, wodurch die Schaltleistung je nach Schaltungsbedingungen optimiert wird.
Welche Verpackungsmöglichkeiten gibt es für diese Komponente?
Er wird in einem TO-220-FP-Gehäuse geliefert, das eine Durchsteckmontage für eine einfache Integration in Schaltungen ermöglicht.
Ist das Bauteil für Hochfrequenzanwendungen geeignet?
Ja, er arbeitet typischerweise mit einer Gateladung von 34nC bei 10V, wodurch er in Hochfrequenzanwendungen effizient arbeiten kann.
Wie kann ich eine ordnungsgemäße Installation sicherstellen?
Beachten Sie die Empfehlungen im Datenblatt zur Montage und zu den Anschlüssen, um eine optimale Leistung und Sicherheit bei der Verwendung zu erreichen.