Infineon CoolMOS C7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 46 A 227 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 897-7664P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZ65R045C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 897-7664P
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- IPZ65R045C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30, +30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 93nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Breite | 21.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30, +30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 93nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Breite 21.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.