Infineon OptiMOS FD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 61 A 300 W, 3-Pin TO-220

Dieser MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt, die ein effizientes Power-Management erfordern. Mit seiner N-Kanal-Enhancement-Mode-Konfiguration und seinen robusten Spezifikationen spielt er eine wichtige Rolle in Bereichen wie Automatisierung, Elektronik und elektrische Systeme. Er bietet einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 61 A und eine Durchbruchspannung von 250 V und bietet Zuverlässigkeit und thermische Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.

• Niedriger Einschaltwiderstand erhöht die Energieeffizienz im Betrieb

• Einsatz in Leistungsumwandlungsschaltungen für Automatisierungsgeräte

Er kann eine maximale Verlustleistung von 300 W bewältigen, was die Leistung in Szenarien mit hoher Belastung gewährleistet.

Dieser MOSFET kann im Dauerbetrieb bei Temperaturen bis zu +175°C arbeiten und ist somit für extreme Bedingungen geeignet.

Ja, der Baustein kann gepulste Drain-Ströme von bis zu 244 A bewältigen, was für transiente Lastanwendungen von Vorteil ist.

Ein niedriger Rds(on) von 22mΩ verringert die Verlustleistung und erhöht die Effizienz im Betrieb, was für energieempfindliche Anwendungen von entscheidender Bedeutung ist.

Der Baustein verfügt über ein TO-220-Gehäuse und ist für die Durchsteckmontage ausgelegt, was das Wärmemanagement in Schaltungsdesigns unterstützt.