onsemi Isoliert PowerTrench Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 3 A 960 mW, 6-Pin SSOT FDC6420C

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

CHF.14.70

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2’225 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 75CHF.0.588CHF.14.81
100 - 475CHF.0.441CHF.11.05
500 - 975CHF.0.357CHF.8.82
1000 - 2975CHF.0.294CHF.7.30
3000 +CHF.0.242CHF.5.93

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
903-4147
Herst. Teile-Nr.:
FDC6420C
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SSOT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Verlustleistung Pd

960mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

3mm

Breite

1.7 mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt.

Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration.

Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links